虽然三星已经开始大规模生产其下一代5纳米的芯片，该公司还努力改善当前7nm的过程。这家韩国科技巨人宣布已成功将3D堆叠技术应用于基于超紫外线(EUV)的7纳米(nm)芯片上。

三星将这种技术称为“扩展立方体”，即X-Cube，它涉及将SRAM堆叠在逻辑芯片的顶部。这是使用三星的硅穿孔(TSV)技术完成的，该技术使用微小的孔来互连芯片上的层。

此过程与传统系统半导体上使用的过程明显不同，传统系统半导体的逻辑芯片(例如CPU和GPU)与SRAM位于同一平面上。对于X-Cube，它将SRAM堆叠在逻辑管芯的顶部，从而占用更少的空间，并有助于更有效地节能。三星还透露，新工艺将提高数据传输速度。

这家韩国科技巨人向世人保证，它将继续在推动半导体技术发展的新技术发展方面突破界限。我们不知道三星将在哪里首先实现该芯片组，但有猜测称Galaxy S1可能会使用Exynos 990的改进版本，而Galaxy S21 Ultra将拥有5nm Exynos 1000。

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