三星电子正在量产首款嵌入式通用闪存3.0芯片。从eUFS2.1切换到eUFS3.0提供了两倍以上的读取速度和近1.6倍的写入速度。

它由第五代512千兆V-NAND组成，读取速度接近2100MB/s，写入时钟在410 MB/s左右，现在随机读取快了9%。随机写作提高36%。在2017年初步展示了512GB的UFS芯片后，短短两年内又推出了另一款双性能的UFS芯片，这是一大进步。

据说把一部全高清电影转到512GB机型只需要三秒钟。大量移动设备上的数据会变得更快，但大多数用户不太可能充分利用它。你仍然需要一根有线的USB线来达到最大的传输速度，因为大多数人还没有Wi-Fi6接入点。

本月晚些时候，三星将推出512GB和128GB UFS3.0芯片。今年下半年将会出现1TB和256GB的机型，给其他移动设备厂商足够的选择。三星认为，其超快存储最终将使用“超大高分辨率屏幕”作为手机的终端，这可能是对Galaxy Note10的微妙暗示。

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