三星高级技术学院(SAIT)的研究人员宣布发现了一种新材料-非晶氮化硼(a-BN)。该发现是与蔚山国立科学技术研究院(UNIST)和剑桥大学的专家合作完成的。据说将加速下一代半导体产品的出现。

最近，SAIT一直在研究和开发二维(2D)材料-包括石墨烯在内的单原子层的晶体材料。研究人员已经开发出一种新的石墨烯晶体管和一种用于生产大面积单晶晶片的新方法。

三星推出用于半导体产品的新材料

最近发现的一种称为非晶氮化硼(a-BN)的材料由硼和氮原子组成。尽管非晶态氮化硼是由白色石墨烯制成的，其中包括以六角形结构排列的硼原子和氮原子，但a-BN的非晶态分子结构使其具有独特的区别。

非晶氮化硼的最佳超低介电常数为1.78。由于其合适的电气和机械性能，该材料可用作绝缘材料，以最大程度地减少电气干扰。还已经证明该材料可以在相对较低的400°C温度下在晶圆上生长。非晶态氮化硼有望广泛用于DRAM和NAND等半导体产品，尤其是在下一代服务器解决方案中。

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