固态技术协会JEDEC 宣布了最终的DDR5 SDRAM规范。这一新标准有望提供两倍的内存带宽，并支持四倍密度芯片，并具有更高的电源效率(1.1V Vdd)。此外，DDR5 DIMM完全可以自己在双通道模式下运行，同一模块上有两个40位完全独立的子通道。

简而言之，DDR5将：

最大管芯密度翻倍至64Gbit，可在生产赶上时实现高达2TB的DIMM容量

提供的最大标准数据速率为6.4Gbps-比DDR4的官方3.2Gbps最大速度快50%。预计首批DDR5模块将以4.8Gbps的速度启动。最终，DDR5制造商可能会破坏最大6.4Gbps的数字。

由于半导体技术不允许更快的存储时钟，DDR5将使用更大的并行度来提高性能。因此，DDR5将为每个DIMM提供两个独立的32位数据通道(40位ECC)，但是该标准仍然需要安装DIMM对。通道的突发长度从8个字节增加到16个字节。

DDR4的工作电压从1.2V降至1.1V。

内存的电压调节将从主板上的这些DIMM中删除。使用这种方法，您的主板不需要为使内存配置最大化而超标。但是，对于消费者来说，成本转移是否可行还有待观察。

它将保持与DDR4相同的288针数，但由于引脚排列配置不同，主要由于模块上的双通道设计，因此不能期望在旧的DDR4插槽中使用它们。

JEDEC表示，最终用户应该期望从现在起的12到18个月内将有首批DDR5包装设备，因此我们正在研究2021年下半年。英特尔和AMD都尚未正式宣布对DDR5的平台支持，但仍处于初期。

JEDEC关于最终DDR5规范的新闻稿中确实包含来自英特尔，美光，三星和SK hynix等公司的推荐。后者证实它一直在与DDR5生态系统的合作伙伴合作，并希望在今年下半年确保大规模生产设施。与此同时，美光宣布了其DDR5技术启用计划。

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